米IBMと日立、32nmプロセス以降の半導体特性評価で共同研究

　米IBMと日立製作所は3月10日（米国時間）、次世代半導体の特性評価で共同研究を進めることを発表した。期間は2年間で、半導体開発の速度をあげるのが狙い。2社はすでにサーバなどで協業関係にあるが、半導体分野で提携するのは初という。

　この提携では、32ナノメートルプロセス、および、22ナノメートルなどそれ以降の半導体にフォーカスする。最新手法を用いることで、特性評価や半導体素子のバラつきに関する計測を改善する。この最新手法の中には、半導体の素子や構造を分析する最新技術などが含まれているという。また、デバイス物理学の理解を深めていくともしている。

　2社では、日立の半導体特性評価技術とIBMのCMOS研究を組み合わせることで、次世代半導体の開発速度を高速化できるとしている。

　この基礎研究では、IBMと日立、それに日立の子会社、日立ハイテクノロジーズの研究者が参加し、米ニューヨーク州にあるIBMの研究所、Thomas J. Watson Research Center、および米国ニューヨーク州立大学アルバニー校で行う。

米IBM
http://www.ibm.com

日立製作所 http://www.hitachi.co.jp