米HP：高集積・低消費電力の半導体技術を開発
米Hewlett-Packard（HP）は16日（米国時間）、従来の8倍に集積度を高めた「FPGA」（Field Programmable Gate Array）を開発したと発表した。高性能、低消費電力化を進め、既存の半導体製造設備に少し手を入れるだけで製造できるのがメリット。10年の実用化を目指す。
FPGAは、プログラミング可能なLSI（大規模集積回路）の一種で、通信、自動車、家電などの業界で幅広く利用されている。HPの技術は、ナノサイズの微細な「クロスバー・スイッチ」構造をトランジスタのCMOS回路の上に重ね、信号の伝送を効率化するもので、「Field Programmable Nanowire Interconnect」（FPNI）と名付けている。
HPは年内に試作品を完成させ、10年までに、15ナノメートル幅のクロスバー配線と45ナノメートルCMOSを組み合わせたモデルを実用化する計画。さらに20年までに、4.5ナノメートル・クロスバー配線と45ナノメートルCMOSのモデルの実用化を目指す。【高森 郁哉／Infostand】
