Eリソリサーチ 代表 遠藤 政孝 氏にご講演をいただきます。
株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山 正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せるリソグラフィ・レジスト／EUVレジストでの課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「リソグラフィ・レジスト／EUVレジスト 基礎・トラブル対策」講座を開講いたします。
リソグラフィの基礎、EUVレジストの詳細を含めたレジストの基礎、トラブル対策と課題、最新のロードマップと先端デバイスの動向、今後のレジストの技術展望、市場動向について網羅的に解説！
本講座は、2025年05月22日開講を予定いたします。
詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1efeda0c-08c9-6f34-a75c-064fb9a95405
Live配信・WEBセミナー講習会 概要
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テーマ：リソグラフィ・レジスト/EUVレジストの基礎とトラブル対策および最新のロードマップと先端デバイスの動向
開催日時：2025年05月22日(木) 10:30-16:30
参 加 費：49,500円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
U R L ：https://andtech.co.jp/seminars/1efeda0c-08c9-6f34-a75c-064fb9a95405
WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）
セミナー講習会内容構成
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ープログラム・講師ー
Eリソリサーチ 代表 遠藤 政孝 氏
本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
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１）レジスト/EUVレジストの基礎
２）リソグラフィの基礎
３）レジスト/EUVレジスト、先端リソグラフィのトラブル対策
４）リソグラフィ、レジスト/EUVレジストの最新技術・ビジネス動向
本セミナーの受講形式
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WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
詳細は、お申し込み後お伝えいたします。
株式会社AndTechについて
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化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。
弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
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株式会社AndTech 技術講習会一覧
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一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。
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株式会社AndTech 書籍一覧
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選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。
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株式会社AndTech コンサルティングサービス
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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。
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本件に関するお問い合わせ
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株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）
下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）
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【講演主旨】
メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在先端の量産工程でダブル/マルチパターニング、EUVが用いられている。レジスト材料はこのようなリソグラフィ技術の変革に対応して進展し続けている。
本講演では、リソグラフィの基礎を解説した後、デバイスの微細化を支えるレジストの基礎をEUVレジスト（化学増幅型EUVレジスト、EUVネガレジストプロセス、EUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセス）の詳細を含めて述べる。レジスト、先端リソグラフィのトラブル対策をその要求特性、課題をふまえて解説する。EUVレジストの課題と対策についても述べる。最新のロードマップと先端デバイスの動向を解説し、今後のレジストの技術展望、市場動向についてまとめる。
【プログラム】
1．リソグラフィの基礎
1.1 露光
1.2 照明方法
1.2.1輪帯照明
1.3 マスク
1.3.1 位相シフトマスク
1.3.2 光近接効果補正（OPC）
1.3.3 マスクエラーファクター（MEF）
2．レジストの基礎
2.1 溶解阻害型レジスト
2.1.1 g線レジスト
2.1.2 i線レジスト
2.2 化学増幅型レジスト
2.2.1 KrFレジスト
2.2.2 ArFレジスト
2.3 ArF液浸レジスト/トップコート
2.4 EUVレジスト
2.4.1 化学増幅型EUVレジスト
2.4.2 EUVネガレジストプロセス
2.4.3 EUVメタルレジスト
2.4.4 EUVメタルドライレジストプロセス
3．レジスト、先端リソグラフィのトラブル対策
3.1 レジストパターン形成不良への対応
3.1.1 パターン倒れ
3.1.2 パターン密着性不良
3.1.3 パターン形状不良
3.1.4 チップ内のパターン均一性不良
3.2 化学増幅型レジストのトラブル対策
3.2.1 レジスト材料の安定性
3.2.2 パターン形成時の基板からの影響
3.2.3 パターン形成時の大気からの影響
3.3 ArF液浸レジストのトラブル対策
3.4 ダブルパターニング、マルチパターニングの課題と対策
3.4.1 リソーエッチ（LE）プロセス
3.4.2 セルフアラインド（SA）プロセス
3.5 EUVレジストの課題と対策
3.5.1 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
3.5.2 ランダム欠陥（Stochastic Effects）
3.6 自己組織化（DSA）リソグラフィの課題と対策
3.6.1 グラフォエピタキシー
3.6.2 ケミカルエピタキシー
3.7 ナノインプリントリソグラフィの課題と対策
3.7.1 加圧方式ナノインプリントリソグラフィ
3.7.2 光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ
4．最新のロードマップと先端デバイスの動向
5．レジストの技術展望、市場動向
【質疑応答】
【キーワード】
リソグラフィ、レジスト、EUVレジスト、ダブルパターニング、マルチパターニング、DSAリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィ、トラブル対策
【講演のポイント】
リソグラフィ、レジスト/EUVレジストについて、基礎からトラブル対策、最新技術まで把握できます。最新のロードマップに基づいて、デバイス、リソグラフィ技術の動向を把握できます。
＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。
＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。
以 上
