米IBM：STMicroelectronicsと半導体開発で提携
米IBMと欧州の半導体大手STMicroelectronicsは7月24日（米国時間）、次世代の半導体製造プロセス技術の共同開発で合意したと発表した。
両社が協業する分野は、▽32ナノメートルおよび22ナノメートルのCMOSプロセスの技術開発と設計技術開発▽300ミリのウエハー製造への応用に向けた先端研究▽中核となるバルクCMOS技術と、付加価値の高い派生技術のSoC（システムオンチップ）技術の開発――など。
また、互いの開発設備内に開発チームを置くことでも合意した。バルクCMOS技術の開発では、米ニューヨーク州2カ所にあるIBMの半導体研究開発センターにSTのチームを設置。また、STの300ミリ・ウエハー研究開発センターがあるフランスのクロルには、IBMがチームを設置するという。【高森 郁哉／Infostand】
STMicroelectronics
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