フラッシュメモリー：5倍に高速化　Intelが開発

　米Intelは2月1日（米国時間）、メモリーカードなどに利用されるフラッシュメモリーで、データの転送速度が従来の5倍に高速化した製品を発表した。読み出しは最大毎秒200MB、書き込みは同100MB。動画など大きなデータも手早く読み書きできるようになった。

　最近はメモリーカードに映画などを記録することもあり、高速化が必要になっていた。新製品の速度は、一般的なハードディスクドライブ（HDD）の2～4倍。ノートパソコンにHDDの代わりとして搭載するのにも適している。

　NAND型のフラッシュで、米Micron Technologyと共同開発した。両社やソニーが策定した規格「ONFI 2.0」に準拠。DRAMの「DDR」と同じ手法などで高速化した。09年には、さらに2倍に速めることを目指している。【南　優人／Infostand】