米IBM：SiGeチップと超低温で動作周波数500GHzの新記録

　米IBMと米ジョージア工科大学は20日（米国時間）、シリコンベースのマイクロプロセッサーを初めて、超高速のクロック周波数500GHz以上で動作させることに成功したと発表した。液体ヘリウムなどを使い、華氏マイナス451度（摂氏マイナス268度）という超低温の環境を作り出して達成した。

　200mmウエハーとIBMの第4世代シリコンゲルマニウム（SiGe）技術で製造した試作品を使った。常温でも、現在の最高速製品の約100倍にあたる約350GHzで動作した。IBMによると、コンピューター・シミュレーションは、SiGeチップが常温でも約1000GHz（約1テラヘルツ）で動作する可能性を示唆しているという。

　SiGe技術は、チップの素材として広く普及しているシリコンに、ゲルマニウムを加えて電気特性を強化してあり、通常のシリコンチップより効率的に動作する。IBMは98年に業界で初めて標準規格のSiGeチップの量産を開始し、出荷累計数は数億個にのぼるという。【高森　郁哉／Infostand】

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